弛豫铁电（RFE）高分子由于其高介电常数和低介电损耗，广泛应用于电子领域，例如电致伸缩、机电传感器、电能储存和电热冷却等。目前常用的RFE高分子是基于P(VDF-TrFE)的二元和三元共聚物。但是，含TrFE的聚合物在合成过程中会出现安全隐患，导致经济成本增加，工业化困难。因此，需要探索是否能在不含TrFE的前提下，通过使CTFE进入PVDF晶体来实现弛豫铁电行为。本工作采用了两种方法使CTFE进入PVDF晶体。第一种方法是高压结晶，通过假六方顺电相获得伸直链晶体。结构表征显示，大量CTFE被排除在PVDF γ晶胞和铁电畴外，位于伸直链片晶内的褶皱处。由于大尺寸铁电畴的存在，没有观察到RFE行为。第二种方法是低温（-20 ~ 0 oC）拉伸以获得取向的小尺寸（5-7 nm）β晶片。结构分析显示，CTFE仍然被排除在β晶胞外，位于晶区-无定型区界面处。尽管由于晶片尺寸小，铁电回滞曲线变窄，但是还是没有出现回滞曲线极窄的RFE行为。本工作证明，CTFE尺寸太大，不可能进入PVDF密实排列的晶胞，不管晶胞是α、β还是γ相。在未来的工作中，我们将尝试用更小尺寸的CFE单体和PVDF共聚，检测其是否能出现弛豫铁电行为。
Yan-Fei Huang, Jia-Zhuang Xu, Thibaut Soulestin, Fabrice Domingues Dos Santos, Ruipeng Li, Masafumi Fukuto, Jun Lei, Gan-Ji Zhong, Zhong-Ming Li, Yue Li,* and Lei Zhu,* Macromolecules 2018, DOI: 10.1021/acs.macromol.8b01155
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